MEMS器件以及MEMS器件的制造工艺的制作方法
技术特征：
1.一种mems器件，包括：
2.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述压电传感器元件进一步包括：
3.根据权利要求2所述的mems器件，其中所述钝化区域是单片的、并且由氮化铝组成。
4.根据权利要求3所述的mems器件，
5.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述可变形主体包括掺杂半导体材料，并且具有不大于30mω·cm的电阻率。
6.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述压电致动器包括：
7.根据权利要求6所述的mems器件，其中所述压电致动器进一步包括：
8.根据权利要求6所述的mems器件，其中所述压电致动器进一步包括：
9.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述mems器件是反射镜型的并且进一步包括：
10.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述mems器件是反射镜型的并且进一步包括：
11.一种制造mems器件的方法，包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的方法，在步骤b)与f)之间进一步包括以下步骤：
13.根据权利要求12所述的方法，在步骤f)与i)之间包括在以下项上形成钝化区域的步骤：压电传感器元件的所述中间检测电极、第一检测电连接、以及穿过所述钝化区域的第二检测电连接。
14.根据权利要求13所述的方法，
15.根据权利要求13所述的方法，
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括以下步骤：
17.一种包括mems器件的电子装置，所述mems器件包括：
18.根据权利要求17所述的电子装置，还包括：电子控制模块，可操作地耦合到所述mems器件，并且被配置为获取由所述应变传感器生成的并且指示所述可变形结构的所述变形的第一检测电压，并且基于所述第一检测电压来电控制所述压电致动器。
19.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述压电传感器元件进一步包括：
20.根据权利要求19所述的电子装置，
技术总结
本公开涉及MEMS器件以及MEMS器件的制造工艺。MEMS器件包括具有限定腔体的固定结构的半导体本体，以及悬置在腔体上的可变形主体。压电致动器位于可变形主体上方，压电传感器元件位于可变形主体上方，压电传感器元件与可变形主体一起形成应变传感器。压电传感器元件包括在可变形主体上的氮化铝的检测压电区域，以及在检测压电区域上的中间检测电极。可变形主体、检测压电区域和中间检测电极形成应变传感器的第一检测电容器。可变形主体、压电致动器和压电传感器元件形成悬置在腔体上方并且可由压电致动器变形的可变形结构，其中应变传感器允许检测可变形结构的变形。
技术研发人员：R·卡尔米纳蒂,T·阿菲菲·阿菲菲,C·L·佩瑞里尼,S·克斯坦蒂尼
受保护的技术使用者：意法半导体国际公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/27
技术研发人员：R·卡尔米纳蒂,T·阿菲菲·阿菲菲,C·L·佩瑞里尼,S·克斯坦蒂尼
技术所有人：意法半导体国际公司
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