用于转移层的方法
【专利摘要】本发明的方法包括如下步骤：提供支撑衬底(2)和供体衬底(3)，在所述供体衬底(3)中形成脆性区域(4)，以便在所述脆性区域(4)的任一侧上划分出所述供体衬底(3)的第一部分(30)和第二部分(31)，在所述支撑衬底(2)上组装所述供体衬底(3)，使所述供体衬底(3)沿着所述脆性区域(4)断裂，并且其特征在于所述方法包括如下步骤：在所述供体衬底(3)中形成压应力层(5)，从而划分出插置于所述压应力层(5)和所述脆性区域(4)之间的所谓的约束区域(50)。
【专利说明】用于转移层的方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种用于转移层的方法以及一种结构。
【背景技术】
[0002]现有技术已知有一种用于转移层的方法，其被称为智能切割TM，包括如下步骤:
[0003]a)提供支撑衬底，
[0004]b)提供供体(donor)衬底，
[0005]c)在供体衬底中形成脆性区域，以便在脆性区域任一侧上划分出供体衬底的第一部分和第二部分，供体衬底的第一部分要添加到支撑衬底上，供体衬底的第二部分能够重复利用，
[0006]d)在支撑衬底上组装供体衬底，
[0007]e)优选通过热处理，使所述供体衬底沿着脆性区域断裂。
[0008]在步骤e)之后，供体衬底的第一部分形成转移到支撑衬底上的层，并且通常被称为活性层。
[0009]反复试验发现，活性层的自由表面表现出高粗糙度，通常介于50和70A RMS,典型为60A RMS，这主要是由于裂缝沿着脆性区域传播导致的。
[0010]这种表面粗糙度可能需要很多数量的步骤来处理活性层的自由表面，以便减小其粗糙度，从而获得典型的介于几个A RMS和30A RMS之间的值。这些处理步骤具体可以包括退火、氧化和抛光步骤。在文档EP 0986826,EP 1208589和EP 1208593中特别详细描述了这些处理步骤。
[0011]从现有技术，尤其是从文档US 6284631已知的方法提出在供体衬底中形成应力层，以及在应力层内部形成脆性区域，以便促进沿着脆性区域断裂。根据该文档，这种现有方法会通过压缩或张力，减小应力层中断裂所需的能量水平，来促进裂缝前沿的传播。
[0012]尽管这样的现有方法能够减小断裂能量水平并且控制裂缝前沿传播的开始，但这种方法不能控制裂缝前沿传播的空间分散，因此显著减小活性层的表面粗糙度。为此，US6284631提出在供体衬底中限制能量或应力，以便减小裂缝前沿不受控启动的可能性并减小表面粗糙度。
[0013]因此，这种现有技术方法实施起来很复杂，因为必须要确定用于应力层的能量，该能量足够高，以减小裂缝的能量，并且还要足够低，以减小裂缝前沿不受控启动的可能性并且减小表面粗糙度。
[0014]此外，这样的现有技术方法需要极好地控制应力层和脆性区域的深度和厚度，因为必须要在应力层内部形成脆性区域。
【发明内容】
[0015]本发明旨在校正上述缺点，并且涉及一种用于转移层的方法，所述方法包括如下步骤:
[0016]a)提供支撑衬底，
[0017]b)提供供体衬底，
[0018]c)在供体衬底中形成脆性区域，以便在脆性区域任一侧上划分出供体衬底的第一部分和第二部分，所述供体衬底的第一部分要添加到所述支撑衬底上，
[0019]d)在所述支撑衬底上组装所述供体衬底，
[0020]e)使所述供体衬底沿着所述脆性区域断裂，
[0021]所述转移方法的特征在于:所述方法包括步骤Cl):在所述供体衬底中形成压应力层，从而划分出插置于所述压应力层和所述脆性区域之间的所谓的约束区域。
[0022]于是，形成这样的压应力层使得能够阻碍裂缝前沿的传播，由此抑制裂缝前沿沿着约束区域中的脆性区域的这种传播。 申请人:反复试验发现，要获得这种约束，该层必须要通过压力而不是通过张力而受到应力。在实践中，相反，张应力层会有利于裂缝前沿的传播。
[0023]于是，在步骤e)之后约束区域的自由表面表现出典型的介于几个A RMS和30人RMS之间的表面粗糙度。
[0024]此外，根据本发明的这种转移方法不需要为压应力层确定精确的能量，因为任何裂缝前沿的不受控启动将不会影响表面粗糙度，因为这些裂缝前沿将保持被约束于约束区域之内。
[0025]此外，根据本发明的这种转移方法允许完美控制压应力层和脆性区域深度和厚度方面的公差，因为压应力层位于距脆性区域一定距离处，这种公差仅影响约束区域的厚度。
[0026]根据一种实施方式，在所述步骤Cl)期间在所述供体衬底的第一部分中形成所述压应力层，以便在所述压应力层的任一侧上划分出所述约束区和所谓的活性区，所述活性区形成在步骤e)之后转移的层。
[0027]因此，插置于活性区和脆性区域之间的这种压应力层使得能够有效地保护活性层不受裂缝前沿的影响，例如形成晶体缺陷、破裂、裂缝等。
[0028]根据一种实施方式，所述转移方法包括步骤c2):在所述供体衬底中形成额外的压应力层，以便划分出插置于所述额外压应力层和所述脆性区域之间的额外约束区域，所述约束区域和所述额外的约束区域被布置于所述脆性区域的任一侧上。
[0029]于是，这样的压应力层形成裂缝前沿传播的引导(guide)。裂缝前沿的这种传播被约束在脆性区域任一侧的约束区域中。
[0030]有利地，在所述步骤Cl)期间在所述供体衬底的第一部分中形成所述压应力层，并且所述转移方法包括步骤el):在步骤e)之后，消除所述额外的约束区域和所述额外的压应力层。
[0031]于是，这样的步骤el)使得能够考虑重复利用供体衬底的第二部分。
[0032]根据一个实施例，通过选择性蚀刻额外的约束区域和额外的压应力层，或者在氧化之后通过蚀刻额外的约束区域和额外的压应力层，来执行步骤el)。
[0033]根据一种实施方式，在所述步骤Cl)期间在所述供体衬底的第一部分中形成所述压应力层，并且所述转移方法包括步骤f):在步骤e)之后，消除所述约束区域和所述压应力层。
[0034]于是，这样的步骤f)使得能够完成活性区的转移，然后活性区具有自由表面。
[0035]有利地，所述步骤f)包括适于处理所述供体衬底的所述第一部分的自由表面的快速退火步骤。
[0036]常规地，在900°C和1300°C之间的温度下，持续时间不超过15分钟，并且在非氧化气氛中，来执行这种快速退火步骤。
[0037]于是，在步骤f)期间通过处理技术(蚀刻、氧化、快速焙烧)获得的被转移层的获得和处理，执行起来显著节省了时间，因为在步骤e)之后，约束区域的自由表面表现出典型的介于几A RMS和30A RMS之间的表面粗糙度。
[0038]根据一种实施方式，所述供体衬底是由一种材料制造的，且通过注入表现出原子半径大于所述材料原子的原子半径的物质来执行所述步骤Cl)和/或所述步骤c2)。
[0039]于是，针对电离原子选择这样的原子半径允许形成压应力层。
[0040]有利地，物质注入的参数，例如能量和剂量，适于使所述供体衬底中受到所述注入区域成为非晶的。于是，这样的注入使得能够形成与被变成非晶的供体衬底区域并排的压应力层。
[0041]于是，完美地划分出被变成非晶的供体衬底区域和对应的压缩层之间的界面，使得能够改善所述层的质量。应当指出，沉积非晶层并接着注入在所述非晶层之外注入物质不会获得上述技术效果。
[0042]有利地，注入的参数适于使所述衬底中受到所述注入的基本全部区域成为非晶的。
[0043]于是，相当大程度上减小了形成缺陷的风险。
[0044]用于重构供体衬底受到注入的区域并使其变为非晶的方法是本领域的技术人员公知的，例如是475°C下进行热退火。
[0045]根据变体实施方式，所述供体衬底是由一种材料制造的，通过外延生长步骤形成一个或多个压应力层，所述一个或多个压应力层包括表现出大于所述材料原子的原子半径的原子半径的原子。
[0046]根据一个实施例，通过选择性蚀刻约束区域和压应力层来执行步骤f)。
[0047]于是，在已经通过外延形成应力层时，这样的实施例特别有效，因为约束区域和应力层之间的界面通常区分良好。
[0048]优选地，在所述步骤c)期间，通过注入某种物质，例如氢和/或氦来形成所述脆性区域。
[0049]根据一个实施例，所述供体衬底是由半导电材料，优选硅制造的，所述半导电材料优选是单晶。
[0050]根据一种实施方式，所述转移方法在所述步骤d)之前包括在所述供体衬底和/或所述支撑衬底的第一部分上形成电介质层的步骤。
[0051]于是，这样的转移方法使得能够获得绝缘体上半导体类型的结构。
[0052]根据一个特征，制造供体衬底的材料是从包括硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、诸如氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)的第II1-V族材料的组中选择的。
[0053]本发明还涉及一种结构，包括:
[0054]-支撑衬底，
[0055]-被布置在所述支撑衬底上的供体衬底，
[0056]-脆性区域，形成于所述供体衬底中，以便在所述脆性区域的任一侧上划分出所述供体衬底的第一部分和第二部分，所述供体衬底的所述第一部分被取向为朝向所述支撑衬底，所述结构的特征在于:包括形成于供体衬底的第一部分中的压应力层，以便在压应力层的任一侧上划分出所谓的约束区和所谓的活性区，约束区插置于压应力层和脆性区域之间，活性区要转移到支撑衬底上。
[0057]于是，这样的压应力层使得能够阻碍裂缝前沿的传播，由此抑制裂缝前沿沿着所述约束区域中的脆性区域的这种传播。那么裂缝之后约束区域的自由表面表现出典型介于几个人RMS和30人RMS之间的表面粗糙度。所获得的这种低的表面粗糙度使得能够方便向支撑衬底上转移活性区。
[0058]此外，根据本发明的结构不需要为压应力层确定精确的能量，因为任何裂缝前沿的不受控启动将不会影响表面粗糙度，因为这些裂缝前沿将保持被约束于约束区域之内。
[0059]此外，根据本发明的这种结构允许完美控制压应力层和脆性区域深度和厚度方面的公差，因为压应力层位于距脆性区域一定距离处，这种公差仅影响约束区域的厚度。
[0060]此外，插置于活性区和脆性区域之间的这种压应力层使得能够有效地保护活性层不受裂缝前沿的影响，例如形成晶体缺陷、断裂、裂缝等。
[0061]在一个实施例中，所述结构包括形成于供体衬底第二部分中的额外的压应力层，以便划分出插置于额外压应力层和脆性区域之间的额外约束区域。
[0062]于是，这样的压应力层形成裂缝前沿传播的引导。裂缝前沿的这种传播被约束在脆性区域任一侧的约束区域中。
[0063]根据一个实施例，所述供体衬底是由包括一组表现出预定原子半径的原子的材料制造的，所述压应力层或每个压应力层包括一组表现出大于预定原子半径的原子半径的原子。
[0064]于是，选择这样的原子半径允许形成压应力层。
[0065]根据一个实施例，所述一个或多个压应力层的厚度和深度适于约束裂缝前沿沿着所述约束区域中的所述脆性区域的传播。
[0066]设计所述一个或多个压应力层的厚度，使得每个压应力层具有至少几个原子层，以便阻挡裂缝前沿的传播。此外，每个压应力层必须要有小于可以弛豫后者的临界厚度的厚度。
[0067]设计压应力层的深度，使得约束区域的总厚度值介于1A和30A之间，优选介于1A和10A之间。
[0068]在具有单个压应力层的实施例中，设计所述压应力层的深度，使得约束区域的厚度值介于1A和150A之间，优选介于10人和50A之间。
[0069]于是，设计所述一个或多个压应力层的厚度以确保阻挡裂缝前沿传播的功能。所述一个或多个压应力层的深度界定约束区域的厚度，设计该深度以获得几人RMS和30ARMS之间的表面粗糙度。
[0070]根据本发明的优选特征，制造供体衬底的材料是从包括硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、诸如氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)的第II1-V族材料的组中选择的。[0071 ] 在一个实施例中，所述结构包括插置于支撑衬底和供体衬底之间的电介质层。
【专利附图】
【附图说明】
[0072]参考附图，从作为非限制性范例给出的根据本发明的转移方法的两种实施方式的以下描述，其他特征和优点将变得显而易见，在附图中:
[0073]-图1是示意图，示出了根据本发明的方法的第一实施方式的步骤，以及根据本发明的结构的第一实施例，
[0074]-图2是示意图，示出了根据本发明的方法的第二实施方式的步骤，以及根据本发明的结构的第二实施例。
【具体实施方式】
[0075]对于不同的实施方式，将为执行相同功能的相同元件使用相同的附图标记，以便简化描述。
[0076]图1中所示的转移方法是包括如下步骤的用于转移层I的方法:
[0077]a)提供支撑衬底2，
[0078]b)提供供体衬底3，
[0079]c)在供体衬底3中形成脆性区域4，以便在脆性区域4的任一侧上划分出供体衬底3的第一部分30和第二部分31，供体衬底3的第一部分30要添加到支撑衬底2上，
[0080]cl)在供体衬底3的第一部分30中形成压应力层5,以便在压应力层5的任一侧上划分出所谓的约束区50和所谓的活性区1，约束区50插置于压应力层5和脆性区域4之间，
[0081]d)在支撑衬底2上组装供体衬底3，
[0082]e)优选通过热处理，使供体衬底3沿着脆性区域4断裂。
[0083]活性区I形成在步骤e)之后转移到支撑衬底2上的层。
[0084]可以由任何类型的材料，优选是半导电类型的材料，例如硅，制造在步骤a)中提供的支撑衬底2。支撑衬底2可以仅仅具有相对于要转移的活性区I的硬度功能。根据期望的应用，支撑衬底2还可以具有适当的电学和/或热学性质。支撑衬底2还可以包括在转移活性区I之前形成的电子器件、互连和/或金属化区域。
[0085]可以在任何类型的材料，优选半导电类型的材料，还优选由单晶类型的材料，制造步骤b)中提供的供体衬底3。供体衬底3也可以是复合类型的，亦即，由不同材料的多个层形成，不同材料之一形成活性区I。
[0086]在图1中可以看出，在步骤d)之前，所述方法可以包括在供体衬底3的第一部分30上形成电介质层7的步骤。在供体衬底3由硅制造的情况下，电介质层7优选是二氧化硅。也可以通过替代或补充供体衬底3上形成的电介质层7在支撑衬底2上进行电介质层7的形成。
[0087]在步骤c)期间，通过注入某种物质，例如氢和/或氦来形成脆性区域4。可以利用单种物质，例如氢进行注入，也可以利用多种相继注入的物质，例如氢和氦进行注入。根据物质和供体衬底3的性质确定注入的参数，实质上是剂量和能量。
[0088]根据一种实施方式，通过注入表现出原子半径大于制造供体衬底3的材料原子的原子半径的物质来执行步骤Cl)。
[0089]注入物质的参数，实质上是能量和剂量，可以适于使进行注入的供体衬底3区域成为非晶。
[0090]根据变体实施方式，通过外延生长步骤形成压应力层5，压应力层5包括表现出大于制造供体衬底材料原子的原子半径的原子半径的原子。更具体而言，通过外延生长步骤在供体衬底3由供体衬底3的第二部分31和约束区域50构成的部分的自由表面上形成压应力层5。然后，也可以通过外延生长步骤形成活性区I。
[0091]应当指出，步骤c)和Cl)可以颠倒。
[0092]可以通过分子附着类型的结合来执行步骤d)。在步骤d)之前可以对支撑衬底2和供体衬底3进行任何处理，其旨在强化结合能量，例如等离子体清洁或活化。
[0093]一旦执行了步骤e)，就可以重复利用供体衬底3的第二部分31(由虚线箭头象征)。
[0094]作为非限制性范例，可以通过热处理来执行步骤e)，所述热处理具有在200°C和600°C之间的温度斜变以及每分钟I和10°C之间的温度升高。
[0095]所述转移方法包括步骤f)，在步骤e)之后，消除约束区域50和压应力层5。步骤f)可以包括选择性蚀刻约束区域50和压应力层5的步骤。这样做的结果是活性区I具有自由表面10。步骤f)可以包括适于处理活性区I的自由表面10的快速退火步骤。
[0096]图2所示的转移方法与图1所示的转移方法不同在于，它包括步骤c2):在供体衬底3的第二部分31中形成额外的压应力层6，以便划分出插置于额外压应力层6和脆性区域4之间的额外约束区域60。
[0097]所述转移方法包括步骤el)，在步骤e)之后，消除额外的约束区域60和额外的压应力层6。可以通过选择性蚀刻额外的约束区域60和额外的压应力层6，或者在氧化之后通过蚀刻额外的约束区域60和额外的压应力层6，来执行步骤el)。
[0098]根据一种实施方式，通过注入表现出原子半径大于制造供体衬底3的材料原子的原子半径的物质来执行步骤c2)。
[0099]根据变体实施方式，通过外延生长步骤形成额外的压应力层6，额外的压应力层6包括表现出大于制造供体衬底3材料原子的原子半径的原子半径的原子。根据这种变体实施方式，通过外延生长在供体衬底3上依次形成额外的压应力层6、额外的约束区域60、约束区域50、压应力层5和活性区I。
[0100]根据未不出的一种实施方式，所述转移方法与图2所不的转移方法不同之处在于步骤Cl):在供体衬底3的第二部分31中形成压应力层5，以便划分出插置于压应力层5和脆性区域4之间的约束区域50。
[0101]显然，上述本发明的实施方式决不是限制性的。可以在其他变体实施例中对它们做出详述和增强，而不会以任何方式脱离本发明的框架。
[0102]本发明还涉及一种结构。
[0103]对于不同的实施例，将为执行相同功能的相同元件使用相同的附图标记，以便简化描述。
[0104]图1中所示的结构100对应于转移方法步骤d)之后获得的结构。
[0105]所述结构100包括:
[0106]-支撑衬底2，
[0107]-布置于支撑衬底2上的供体衬底3，
[0108]-脆性区域4，形成于供体衬底3中，以便在脆性区域4的任一侧上划分出供体衬底3的第一部分30和第二部分31，供体衬底3的第一部分30被取向为朝向支撑衬底2。
[0109]所述结构100包括形成于供体衬底3的第一部分30中的压应力层5，以便在压应力层5的任一侧上划分出所谓的约束区50和所谓的活性区1，约束区50插置于压应力层5和脆性区域4之间，活性区I要转移到支撑衬底2上。
[0110]供体衬底3是由包括一组表现出预定原子半径的原子的材料制造的，压应力层5包括一组表现出大于预定原子半径的原子半径的原子。
[0111]压应力层5的厚度和深度适于约束裂缝前沿沿着约束区域50中脆性区域4的传播。
[0112]图2所示的结构200与图1所示的结构100不同在于，它包括形成于供体衬底3的第二部分31中的额外的压应力层6，以便划分出插置于额外压应力层6和脆性区域4之间的额外约束区域60。
[0113]显然，上述本发明的实施例决不是限制性的。可以在其他变体中对它们做出详述和增强，而不会以任何方式脱离本发明的框架。
【权利要求】
1.一种用于转移层的方法，包括如下步骤: a)提供支撑衬底(2)， b)提供供体衬底(3)， c)在所述供体衬底(3)中形成脆性区域(4)，以便在所述脆性区域(4)的任一侧上划分出所述供体衬底(3)的第一部分(30)和第二部分(31)，所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)要被添加到所述支撑衬底(2)上， d)在所述支撑衬底(2)上组装所述供体衬底(3)， e)优选通过热处理，使所述供体衬底(3)沿着所述脆性区域(4)断裂， 所述转移方法的特征在于包括步骤Cl):在所述供体衬底(3)中形成压应力层(5)，以便划分出插置于所述压应力层(5)和所述脆性区域(4)之间的所谓的约束区域(50)。
2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于:在所述步骤Cl)期间在所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)中形成所述压应力层(5)，以便在所述压应力层(5)的任一侧上划分出所述约束区(50)和所谓的活性区(I)，所述活性区(I)形成在步骤e)之后被转移的所述层。
3.根据权利要求1或2所述的转移方法，其特征在于包括步骤c2):在所述供体衬底(3)中形成额外的压应力层￠)，以便划分出插置于所述额外的压应力层(6)和所述脆性区域⑷之间的额外的约束区域(60)，所述约束区域(50)和所述额外的约束区域(60)被布置于所述脆性区域(4)的任一侧上。
4.根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于:在所述步骤Cl)期间在所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)中形成所述压应力层(5)，并且其特征在于:所述转移方法包括步骤el):在所述步骤e)之后，消除所述额外的约束区域￠0)和所述额外的压应力层(6)。
5.根据权利要求4所述的转移方法，其特征在于:通过选择性蚀刻所述额外的约束区域(60)和所述额外的压应力层￠)，或者通过在氧化之后蚀刻所述额外的约束区域￠0)和所述额外的压应力层￠)，来执行所述步骤el)。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的转移方法，其特征在于:在所述步骤Cl)期间在所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)中形成所述压应力层(5)，并且其特征在于:所述转移方法包括步骤f):在所述步骤e)之后，消除所述约束区域(50)和所述压应力层(5)。
7.根据权利要求6所述的转移方法，其特征在于:所述步骤f)包括适于处理所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)的自由表面(10)的快速退火步骤。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的转移方法，其特征在于:所述供体衬底(3)是由一种材料制造的，并且其特征在于:通过注入表现出原子半径大于所述材料的原子的原子半径的物质来执行所述步骤Cl)和/或所述步骤c2)。
9.根据权利要求8所述的转移方法，其特征在于:诸如能量和剂量之类的物质注入的参数适于使所述供体衬底(3)中受到所述注入的区域成为非晶的。
10.根据权利要求1至7中的任一项所述的转移方法，其特征在于:所述供体衬底(3)是由一种材料制造的，并且其特征在于:通过外延生长步骤形成一个或多个所述压应力层(5，6)，一个或多个所述压应力层(5，6)包括表现出原子半径大于所述材料的原子的原子半径的原子。
11.根据与权利要求6或7结合的权利要求10所述的转移方法，其特征在于:所述步骤f)包括选择性蚀刻所述约束区域(50)和所述压应力层(5)的步骤。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的转移方法，其特征在于:在所述步骤c)期间通过注入诸如氢和/或氦之类的物质来形成所述脆性区域(4)。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的转移方法，其特征在于:所述供体衬底(3)是由半导电材料，优选硅制造的，所述半导电材料优选是单晶的。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的转移方法，其特征在于:在所述步骤d)之前包括在所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)上和/或所述支撑衬底(2)上形成电介质层(7)的步骤。
15.一种结构(100，200)，包括: -支撑衬底⑵， -布置于所述支撑衬底(2)上的供体衬底(3)， -脆性区域(4)，形成于所述供体衬底(3)中，以便在所述脆性区域(4)的任一侧上划分出所述供体衬底(3)的第一部分(30)和第二部分(31)，所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)被取向为朝向所述支撑衬底(2)， 所述结构(100，200)的特征在于:包括形成于所述供体衬底(3)中的压应力层(5)，以便划分出插置于所述压应力层(5)和所述脆性区域(4)之间的所谓的约束区域(50)。
16.根据权利要求15所述的结构(100，200)，其特征在于:在所述供体衬底(3)的所述第一部分(30)中形成所述压应力层(5)，以便在所述压应力层(5)的任一侧上划分出所述约束区(50)和所谓的活性区(I)，所述活性区(I)要被转移到所述支撑衬底(2)。
17.根据权利要求15或16所述的结构(100，200)，其特征在于:包括形成于所述供体衬底(3)中的额外的压应力层(6)，以便划分出插置于所述额外的压应力层(6)和所述脆性区域(4)之间的额外的约束区域(60)，所述约束区域(50)和所述额外的约束区域(60)被布置于所述脆性区域(4)的任一侧上。
18.根据权利要求15至17中的任一项所述的结构(100，200)，其特征在于:所述供体衬底(3)是由包括一组表现出预定原子半径的原子的材料制造的，并且其特征在于:所述压应力层或每个压应力层(5，6)包括一组表现出比所述预定原子半径更大的原子半径的原子。
19.根据权利要求15至18中的任一项所述的结构(100，200)，其特征在于:一个或多个所述压应力层(5)的厚度和深度适于约束裂缝前沿沿着一个或多个所述约束区域(50，60)中的所述脆性区域(4)的传播。
【文档编号】H01L21/762GK104170073SQ201380009581
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2013年1月28日 优先权日:2012年2月16日
【发明者】G·戈丹, O·科农丘克, I·拉杜 申请人:索泰克公司
文档序号 :
【 7036784 】
技术研发人员：G·戈丹,O·科农丘克,I·拉杜
技术所有人：索泰克公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
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技术研发人员：G·戈丹,O·科农丘克,I·拉杜
技术所有人：索泰克公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
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