Z轴检测的三明治MEMS加速度计及其制备方法

1.一种z轴检测的三明治mems加速度计的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的z轴检测的三明治mems加速度计的制备方法，其特征在于，所述第一硅-玻璃复合盖板与所述第二硅-玻璃复合盖板为相同结构的硅-玻璃复合盖板。

3.根据权利要求2所述的z轴检测的三明治mems加速度计的制备方法，其特征在于，通过以下步骤制备所述硅-玻璃复合盖板：

4.根据权利要求3所述的z轴检测的三明治mems加速度计的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一低阻硅晶圆，形成包括硅柱、硅槽和硅台阶的第二低阻硅晶圆，包括：

5.根据权利要求3所述的z轴检测的三明治mems加速度计的制备方法，其特征在于，所述研磨并抛光冷却后的所述第二键合片，形成包括独立硅柱、固定电容极板和隔离区的所述硅-玻璃复合盖板，包括：

6.根据权利要求1所述的z轴检测的三明治mems加速度计的制备方法，其特征在于，通过以下步骤制备所述结构层：

7.一种z轴检测的三明治mems加速度计，其特征在于，包括：带有垂直引线的第一硅-玻璃复合盖板和第二硅-玻璃复合盖板、包括质量块、边框和悬臂梁的结构层，以及第一金属层、第二金属层和第三金属层；其中：从上到下依次叠加的所述第一硅-玻璃复合盖板、所述结构层和所述第二硅-玻璃复合盖板形成三明治结构；所述第一金属电极和所述第二金属电极设置于所述第一硅-玻璃复合盖板的上表面；所述第三金属层设置于所述第二硅-玻璃复合盖板的下表面；所述第一硅-玻璃复合盖板的垂直引线的下端与所述结构层连接；所述第一硅-玻璃复合盖板的垂直引线的上端与所述第一金属电极连接。

8.根据权利要求7所述的z轴检测的三明治mems加速度计，其特征在于，所述第一硅-玻璃复合盖板与所述第二硅-玻璃复合盖板为相同结构的硅-玻璃复合盖板。

9.根据权利要求8所述的z轴检测的三明治mems加速度计，其特征在于，所述硅-玻璃复合盖板包括独立硅柱、固定电容极板和隔离区；所述独立硅柱作为垂直引线；所述隔离区用于隔离所述独立硅柱和所述固定电容极板。

10.根据权利要求9所述的z轴检测的三明治mems加速度计，其特征在于，所述质量块的上表面为第一电容极板，所述质量块的下表面为第二电容极板；所述第一硅-玻璃复合盖板的固定电容极板与所述第一电容极板非接触设置，形成第一检测电容；所述第二硅-玻璃复合盖板的固定电容极板与所述第二电容极板非接触设置，形成第二检测电容。