MEMS超声传感器、制备方法及超声检测装置与流程

本申请涉及传感器，具体而言，涉及一种mems超声传感器、制备方法及超声检测装置。

背景技术：

1、mems超声传感器通常用si的薄膜作为发射和接收超声信号的膜片。

2、现有的mems超声传感器，薄膜越薄灵敏度越高。然而，薄膜减薄虽然可以提高灵敏度，但薄膜的力学性能也会降低，这就会导致传感器可靠性变差。

技术实现思路

1、本申请实施例至少提供一种mems超声传感器、制备方法及超声检测装置，能够避免应力在角区集中，有利于提高传感器的可靠性。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种mems超声传感器的制备方法，包括：

3、步骤s100、提供基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；

4、步骤s200、在所述基板的第一表面形成压电薄膜；

5、步骤s300、在所述基板的第二表面刻蚀出空腔，以使所述基板形成敏感薄膜以及围绕所述空腔并支撑所述敏感薄膜的基座，其中，所述基座的内壁面和所述敏感薄膜的相交处为弧面。

6、在上述方案中，由于基座的内壁面和敏感薄膜的第一表面的相交处为弧面，使得敏感薄膜在受到压力时能够使压力在角区分散，从而能够避免应力在角区集中，有利于提高传感器的可靠性。

7、在一种可选的实施方式中，所述基座的内壁面的局部为弧面。

8、在一种可选的实施方式中，所述基座的内壁面的整体为弧面。

9、在一种可选的实施方式中，所述弧面为圆球面或椭球面。

10、在一种可选的实施方式中，所述压电薄膜为三明治压电薄膜。

11、在一种可选的实施方式中，在所述基板的第一表面形成压电薄膜，包括：

12、步骤s210、在所述基板的第一表面形成第一电极层；

13、步骤s220、在所述第一电极层的背离所述基板的一侧形成压电材料层；

14、步骤s230、在所述压电材料层的背离所述第一电极层的一侧形成第二电极层；

15、步骤s240、刻蚀去除部分所述第一电极层、压电材料层和第二电极层，以使剩余的所述第一电极层、压电材料层和第二电极层在所述基板的第一表面形成压电薄膜。

16、第二方面，本申请实施例还提供一种mems超声传感器，采用第一方面任一项所述的方法制备而成。

17、在上述方案中，由于mems超声传感器的基座的内壁面和敏感薄膜的第一表面的相交处为弧面，使得敏感薄膜在受到压力时能够使压力在角区分散，从而能够避免应力在角区集中，有利于提高传感器的可靠性。

18、第二方面，本申请实施例还提供一种超声检测装置，包括第二方面所述的mems超声传感器。

19、在上述方案中，由于mems超声传感器的基座的内壁面和敏感薄膜的第一表面的相交处为弧面，使得敏感薄膜在受到压力时能够使压力在角区分散，从而能够避免应力在角区集中，有利于提高传感器的可靠性。

20、在一种可选的实施方式中，还包括处理器，所述处理器与所述mems超声传感器电性连接。

21、在一种可选的实施方式中，还包括通讯模块，所述通讯模块与所述mems超声传感器电性连接。

22、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

1.一种mems超声传感器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基座的内壁面的局部为弧面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基座的内壁面的整体为弧面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述弧面为圆球面或椭球面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压电薄膜为三明治压电薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述基板的第一表面形成压电薄膜，包括：

7.一种mems超声传感器，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的方法制备而成。

8.一种超声检测装置，其特征在于，包括权利要求7所述的mems超声传感器。

9.根据权利要求8所述的超声检测装置，其特征在于，还包括处理器，所述处理器与所述mems超声传感器电性连接。

10.根据权利要求8所述的超声检测装置，其特征在于，还包括通讯模块，所述通讯模块与所述mems超声传感器电性连接。