一种基于铙钹结构的MEMS传感器的制备方法及其封装方法与流程
技术特征：
1.一种基于铙钹结构的mems传感器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层和所述第三牺牲层以及部分所述第一牺牲层，以使所述基底和所述下端盖层之间形成第一空隙，所述下端盖层和所述下电极层之间形成第二空隙，所述上端盖层和所述上电极层之间形成第三空隙之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基底一侧表面形成第一结构层，包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述上电极层远离所述基底一侧形成第二结构层，所述第二结构层包括第三牺牲层和上端盖层，包括：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述上电极层远离所述基底一侧表面形成第二结构层之后，还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述上电极层远离所述基底一侧表面形成第二结构层之后，还包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层和所述第三牺牲层以及部分所述第一牺牲层，以使所述基底和所述下端盖层之间形成第一空隙，所述下端盖层和所述下电极层之间形成第二空隙，所述上端盖层和所述上电极层之间形成第三空隙之后，还包括：
8.一种基于铙钹结构的mems传感器的封装方法，其特征在于，基于权利要求1-7任一项所述的基于铙钹结构的mems传感器的制备方法制备的至少一个所述铙钹结构，包括：
9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括液体封装；所述液体材料包括液体硅油，所述封装壳体包括聚氨酯。
10.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括固体封装；所述封装壳体包括模具；
技术总结
本发明公开了一种基于铙钹结构的MEMS传感器的制备方法及其封装方法，制备方法包括：提供基底；在基底一侧形成第一结构层，下端盖层朝向基底突出形成第一凸起，第一牺牲层位于下端盖层和基底之间，第二牺牲层位于第一凸起中；在第一结构层远离基底一侧依次形成下电极层、压电层和上电极层；在上电极层远离基底一侧形成第二结构层，上端盖层朝向背离上电极层的方向突出形成第二凸起，第三牺牲层位于第二凸起中；去除第二牺牲层、第三牺牲层以及部分第一牺牲层，以使基底和下端盖层之间形成第一空隙，下端盖层和下电极层之间形成第二空隙，上端盖层和上电极层之间形成第三空隙。通过上述方法，实现了微米级铙钹结构的MEMS传感器。
技术研发人员：孙成亮,杨超翔,刘炎,蔡耀,国世上,孙博文
受保护的技术使用者：武汉敏声新技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/27
文档序号 :
【 39215602 】
技术研发人员：孙成亮,杨超翔,刘炎,蔡耀,国世上,孙博文
技术所有人：武汉敏声新技术有限公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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