可改善成膜均匀性的化学气相沉积方法及设备与流程
技术特征：
1.一种可改善成膜均匀性的化学气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的时间进行补偿；
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的时间进行补偿；
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的时间进行补偿；
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的时间进行补偿；
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的时间进行补偿；
7.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的功率进行补偿；
8.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的功率进行补偿；
9.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述时间补偿系数和所述功率补偿系数的范围为0.1至10。
10.一种可改善成膜均匀性的化学气相沉积设备，其特征在于，包括：
技术总结
本发明提供一种可改善成膜均匀性的化学气相沉积方法及设备，方法包括如下步骤：在化学气相沉积工艺第一阶段中，对射频信号的反射功率进行信号采样；在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的时间或功率进行补偿；对所述射频信号的时间补偿满足如下条件：；对所述射频信号的功率补偿满足如下条件：。本发明通过在化学气相沉积对反射功率进行采样，并对射频信号的时间或功率进行补偿，从而使化学气相沉积成膜厚度的片间均匀性得到显著改善，有助于提高生产良率。
技术研发人员：毛国民,陈怡辉,陈金良,宋维聪
受保护的技术使用者：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/2
文档序号 :
【 39272493 】
技术研发人员：毛国民,陈怡辉,陈金良,宋维聪
技术所有人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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