一种多孔四氧化三钴纳米片的制备方法与流程
技术特征:
1.一种多孔四氧化三钴纳米片的制备方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)将钴盐溶解于水中,配制钴离子浓度为0.1~1mol/L的水溶液;
(2)将六次甲基四胺加入步骤1所配置的钴盐水溶液中,六次甲基四胺与钴离子的摩尔比为6:1~8:1,在室温下搅拌溶解均匀后,装入高压反应釜,溶液在反应釜中的体积填充率为70~85%,密闭反应釜,将反应釜加热到210~280℃,保温2小时以上;
(3)将步骤2所得的固体产物过滤,用水反复清洗,干燥,即可获得四氧化三钴的前驱体碱式碳酸钴;
(4)将步骤3中的产物在空气中加热到300~500℃,保温1小时以上,即可获得多孔四氧化三钴纳米片,所述多孔四氧化三钴纳米片由纳米级四氧化三钴颗粒构成,具有多孔特性,外形呈二维纳米片形态。
2.根据权利要求1所述的多孔四氧化三钴纳米片的制备方法,其特征是,所述步骤1中,所述所述钴盐由氯化钴、硝酸钴和醋酸钴的一种或多种按任意配比混合组成。
3.根据权利要求1所述的多孔四氧化三钴纳米片的制备方法,其特征是,所述步骤3中,所述碱式碳酸钴的化学式是Co2(CO3)(OH)2。
4.根据权利要求3所述的多孔四氧化三钴纳米片的制备方法,其特征是,所述碱式碳酸钴的晶体结构与(Cu,Co)2(CO3)(OH)2一致。
文档序号 :
【 12569584 】
技术研发人员:程继鹏,吴勇军,翁永堂
技术所有人:浙江美都墨烯科技有限公司
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
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