用于衬底和电子装置的混合屏障层的制作方法
[0041] 广泛范围的有机娃前体可W用于本发明的实施例。适用作前体材料的有机娃化 合物包括甲基硅烷；二甲基硅烷；乙締基=甲基硅烷；=甲基硅烷；四甲基硅烷；乙基硅烷； 一娃烷基甲烧；双（甲基娃烷基）甲烧；1,2- 一娃烷基乙烧；1,2-双（甲基娃烷基）乙烧； 2, 2-二娃烷基丙烷；1, 3, 5-二娃烷基-2, 4,6-二亚甲基；和运些化合物的氣化衍生物。
[0042] 适用作前体材料的含苯基有机娃化合物包括：二甲基苯基硅烷和二苯基甲基娃 烧。
[0043] 适用作前体材料的含氧有机娃化合物包括：原娃酸四乙醋；二甲基二甲氧基 硅烷；1, 3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷；1, 3-二甲基二硅氧烷；1, 1, 3, 3-四甲基二硅氧烷； 1，3-双（娃烷基亚甲基）二硅氧烷；双（1-甲基二娃氧烷基）甲烧；2,2-双（1-甲基二娃氧 烷基）丙烷；2, 4,6,8-四甲基环四硅氧烷；八甲基环四硅氧烷；2, 4,6,8, 10-五甲基环五娃 氧烧；1，3, 5, 7-四娃烷基-2,6-二氧基-4,8-二亚甲基；六甲基环S硅氧烷；1，3, 5, 7, 9-五 甲基环五硅氧烷；六甲氧基二硅氧烷；和运些化合物的氣化衍生物。
[0044] 适用作前体材料的含氮有机娃化合物包括：六甲基二娃氮烧；二乙締基四甲基二 娃氮烧；六甲基环S娃氮烧；二甲基双（N-甲基乙酷胺基）硅烷；二甲基双-(N-乙基乙酷 胺基）硅烷；甲基乙締基双（N-甲基乙酷胺基）硅烷；甲基乙締基双（N-下基乙酷胺基）娃 烧；甲基S(N-苯基乙酷胺基）硅烷；乙締基S(N-乙基乙酷胺基）硅烷；四（N-甲基乙酷 胺基）硅烷；二苯基双（二乙基氨氧基）硅烷；甲基=(二乙基氨氧基）硅烷；和双甲 基娃烷基）碳化二亚胺。
[0045] 应理解，本文所述的各种实施例仅作为实例，并且无意限制本发明的范围。举例来 说，本文所述的材料和结构中的许多可W用其它材料和结构来取代，而不脱离本发明的精 神。如所要求的本发明因此可W包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化，如本领域 技术人员将明白。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论无意为限制性的。
【主权项】
1. 一种方法，其包含： 在与表面相邻的反应位置处提供多种前体材料，所述多种前体材料中的至少一者包含 有机硅材料；和 使所述多种前体材料在所述反应位置处反应以在所述表面上由所述多种前体材料形 成混合层。2. 根据权利要求1所述的方法，其中使所述多种前体材料反应包含执行化学气相沉积 工艺以使所述多种前体材料反应。3. 根据权利要求1所述的方法，其中使所述多种前体材料反应包含使所述多种前体材 料中的每一者在所述反应位置处等离子体聚合。4. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多种前体材料包含两种具有不同解离速率的 单体材料。5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述混合层是柔性屏障膜。6. 根据权利要求1所述的方法，其中在所述反应位置处提供所述多种前体材料包含通 过运载气体将所述多种前体材料中的至少一者输送到所述反应位置。7. 根据权利要求1所述的方法，其进一步包含： 针对选自由以下组成的群组的参数选择值：所述反应位置处的沉积压力；所述多种前 体材料向所述反应位置的总流动速率；在所述反应位置处所述多种前体材料中的第一者与 所述前体材料中的第二者的相对比率；和沉积功率；和 使所述多种前体材料在所述所选参数值下反应。8. 根据权利要求7所述的方法，其中所述参数值基于所述沉积混合膜的所要属性来选 择。9. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多种前体材料中的每一者基于所述混合膜的 所要性质来选择。10. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多种前体材料中的至少一者包含六甲基二 硅氧烷和原硅酸四乙酯的混合物。11. 根据权利要求1所述的方法，其中所述多种前体材料中的每一者独立地选自由以 下组成的群组：甲基硅烷；二甲基硅烷；乙烯基三甲基硅烷；三甲基硅烷；四甲基硅烷；乙 基硅烷；二硅烷基甲烷；双（甲基硅烷基）甲烷；1，2-二硅烷基乙烷；1，2-双（甲基硅烷基） 乙烷；2, 2-二硅烷基丙烷；1，3, 5-三硅烷基-2, 4, 6-三亚甲基；二甲基苯基硅烷；二苯基甲 基硅烷；原硅酸四乙酯；二甲基二甲氧基硅烷；1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷；1，3-二甲基 二硅氧烷；1，1，3, 3-四甲基二硅氧烷；1，3_双（硅烷基亚甲基）二硅氧烷；双（1-甲基二硅 氧烷基）甲烷；2, 2-双（1-甲基二硅氧烷基）丙烷；2, 4, 6, 8-四甲基环四硅氧烷；八甲基环 四硅氧烷；2, 4, 6, 8，10-五甲基环五硅氧烷；1，3, 5, 7-四娃烷基-2, 6- 二氧基_4, 8- 二亚甲 基；六甲基环三硅氧烷；1，3, 5, 7, 9-五甲基环五硅氧烷；六甲氧基二硅氧烷；六甲基二硅氮 烷；二乙烯基四甲基二硅氮烷；六甲基环三硅氮烷；二甲基双（N-甲基乙酰胺基）硅烷；二 甲基双-(N-乙基乙酰胺基）硅烷；甲基乙烯基双（N-甲基乙酰胺基）硅烷；甲基乙烯基双 (N- 丁基乙酰胺基）硅烷；甲基三（N-苯基乙酰胺基）硅烷；乙烯基三（N-乙基乙酰胺基） 硅烷；四（N-甲基乙酰胺基）硅烷；二苯基双（二乙基氨氧基）硅烷；甲基三（二乙基氨氧 基）硅烷；和双（三甲基硅烷基）碳化二亚胺。12. 根据权利要求1所述的方法，其中1微米厚度的所述混合膜在38°、90%湿度下的 渗透不超过10-1克/平方米/天。13. -种装置，其根据权利要求1所述的方法制造。14. 根据权利要求13所述的装置，其中所述装置包含OLED。15. 根据权利要求13所述的方法，其中所述装置包含平板显示器、计算机监视器、医疗 监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明显示 器、柔性显示器、激光印刷机、电话、手机、智能电话、个人数字助理PDA、膝上型电脑、数码相 机、摄录像机、取景器、微显示器、3-D显示器、运载工具、大面积墙壁、剧院或体育馆屏幕，或 指示牌。
【专利摘要】本发明提供了用于例如通过等离子体聚合来沉积多种不同有机前体与反应性气体的系统和技术。使用多种前体材料可以提供大得多的处理范围，因此实现对膜的屏障性质和应力的精确调节。如本文所公开的屏障膜可以用于多种衬底和电子装置上以减少湿气和其它大气污染物的渗透。
【IPC分类】H01L23/28, H01L21/56
【公开号】CN105324842
【申请号】CN201480035385
【发明人】西达尔塔·哈里克思希纳·莫汉, 威廉·E·奎因, 马瑞清
【申请人】环球展览公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年6月21日
【公告号】US20160118621, WO2015002756A1
文档序号 :
【 9568728 】
技术研发人员：西达尔塔·哈里克思希纳·莫汉,威廉·E·奎因,马瑞清
技术所有人：环球展览公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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